平行连杆式操作机悬挂系统刚度与阻尼参数研究

为合理设计操作机悬挂系统的缓冲装置以减小惯性冲击的影响,针对平行连杆式锻造操作机,简化了设备模型,分析了制动工况下悬挂系统各杆件的受力状态和运动规律,并利用牛顿-欧拉法综合各杆件的动力学分析,建立了悬挂系统在制动时的动力学模型,提出了缓冲装置刚度及阻尼参数确定的思路。以300kN锻造操作机为例,在MATLAB中求解操作机悬挂系统动力学微分方程,分析了缓冲刚度、阻尼对吊杆摆角、钳杆质心运动规律的影响。结果表明,利用牛顿-欧拉法建立模型确定缓冲刚度与阻尼参数的方法是可行的与合理的,从而为平行连杆式操作机悬挂系统缓冲装置的刚度与阻尼设计提供了理论依据。     

光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征

高温条件下裂解碳化硅（SiC）单晶,在直径5 cm的4H-SiC（0001）面制备出单层石墨烯。利用光电化学刻蚀方法,使KOH刻蚀液与SiC发生反应,降低石墨烯与衬底之间的相互作用力,去掉原位生长过程中SiC衬底与石墨烯之间存在的缓冲层,获得准自由的双层石墨烯。首先通过对比不同的电流密度和光照强度,总结出电流密度为6 mA·cm^-2、紫外灯与样品间距为3 cm时,石墨烯缓冲层的去除效率以及石墨烯质量皆为最佳。采用此优化后工艺处理的样品,拉曼光谱表明原位生长的缓冲层与衬底脱离,表现出准自由石墨烯的特性。X射线光电子能谱（XPS）C1s谱图中代表上层石墨烯与衬底Si悬键结合的S1、S2特征峰消失,即石墨烯缓冲层消失。通过分析刻蚀过程中的电化学曲线,提出了刻蚀过程的化学反应过程中的动态特性。     

配置有限缓冲区的缸体生产线平衡优化

针对多工序生产线出现的不平衡问题,优化合理的缓冲区配置将是有效解决途径之一。文中基于双工位单缓冲区分解方法,将多工序生产线分为多个连续子系统,并建立最小化工件平均生产加工时间优化目标模型。采用模拟退火算法求解优化模型,得到各工位间的缓冲区容量配置。最后本文以柴油发动机缸体U型加工生产线为研究对象,并运用Plantsim仿真进行方法有效性验证。     

一种新的队列管理机制在无线Mesh网络中的应用

在无线Mesh网络中,对于传输距离不同的数据流存在严重的不公平性问题,同时物理位置不同的AP之间也存在着同样问题。为保证网络公平性,提出改进MAC层机制和引入缓存管理的联合解决方案。在分析了无线Mesh网络空间不公平性的基础上,通过改进MAC层中竞争窗口,引入缓存管理算法,得到一种新的队列管理方案IQMA（Improving Queue Management Algorithm）。仿真结果表明,新的方案改善了节点间的不公平性问题和长跳流歧视问题,提高了网络资源利用率。     

Fabrication of GaN epitaxial thin film on InGaZnO4 single-crystalline buffer layer

Epitaxial (0001) films of GaN were grown on (111) YSZ substrates using single-crystalline InGaZnO₄ (sc-IGZO) lattice-matched buffer layers by molecular beam epitaxy with a NH₃ source. The epitaxial relationships are (0001)_GaN//(0001)_IGZO//(111)_YSZ in out-of-plane and [112¯0]_GaN//[112¯0]_IGZO//[11¯0]_YSZ in in-plane. This is different from those reported for GaN on many oxide crystals; the in-plane orientation of GaN crystal lattice is rotated by 30° with respect to those of oxide substrates except for ZnO. Although these GaN films showed relatively large tilting and twisting angles, which would be due to the reaction between GaN and IGZO, the GaN films grown on the sc-IGZO buffer layers exhibited stronger band-edge photoluminescence than GaN grown on a low-temperature GaN buffer layer.     

Effects of sputtering pressure and Al buffer layer thickness on properties of AZO films grown by rf magnetron sputtering

Transparent and conductive Al-doped (2 wt.%) zinc oxide (AZO) films were deposited on inexpensive soda-lime glass substrates by using rf magnetron sputtering at room temperature. This study analyzed the effects of argon sputtering pressure, which varied in the range from 0.46 to 2.0 Pa, on the morphological, electrical and optical properties of AZO films. The only (0 0 2) diffraction peak of the film were observed at 2θ～34.45°, exhibiting that the AZO films had hexagonal ZnO wurtzite structure, and a preferred orientation with the c-axis perpendicular to the substrate. By applying a very thin aluminum buffer layer with the thickness of 2 nm, findings show that the electrical resistivity was 9.46 × 10⁻⁴ Ω-cm, and the average optical transmittance in the visible part of the spectra was approximately 81%. Furthermore, as for 10 nm thick buffer layer, the electrical resistivity was lower, but the transmittance was decreased.     

立井防过放缓冲器摩擦材料磨损形貌分析

用CETR多功能摩擦试验机模拟立井防过放缓冲器实际工况,对依据缓冲器摩擦片和摩擦盘材料制成的试样开展不同压力和滑动速度下的销盘磨损试验,并考察比较压力和速度对磨损的影响大小,对扫描电子显微镜(SEM)观测到的石棉摩擦片材料与45号钢摩擦盘对磨后的磨损形貌进行了分析。分析结果表明:无论是正压力还是速度的增大,都使得摩擦片磨损越来越严重,形貌越来越复杂,且压力比速度对摩擦片磨损的影响更大。     

高压电力电缆阻水结构研究与分析

用试验的方法,对目前国内的高压交联聚乙烯(XLPE)绝缘电力电缆阻水结构进行了研究,分析了使用纵向阻水结构电缆的技术性能,并提出改善这种性能的工艺控制方法及建议。     

离子缓冲剂对选择性电极法测定湿法炼锌体系中氟的影响

试验系统地研究了离子缓冲剂的加入在氟离子选择性电极-标准曲线法和标准加入法测定湿法炼锌体系溶解度相图中F^-时的影响规律。研究结果表明:(1)不论离子缓冲剂的加入量,整体来说,氟离子选择性电极-标准加入法的测量结果远优于标准曲线法;(2)在氟离子选择性电极-标准加入法中,离子缓冲剂加入量会对测定结果产生严重影响;(3)当待测溶液中背景离子浓度很低时,离子缓冲剂的加入对分析结果准确性有负面影响,即不加离子缓冲剂的结果更好;(4)在待测溶液中背景离子浓度较高时,离子缓冲剂的加入有利于提高测定结果的精度。实验结果应用于湿法炼锌液中F^-的测定,最低误差为0.93%。     

带缓冲区的基于时间延迟的可修设备联合优化

考虑到设备停机时间较长对企业经济效益的影响,在设备间设置缓冲区;同时考虑到设备单目标维修决策模型的不足,以及故障次数表达的精确程度对决策的影响,借用了时间延迟理论,建立了可修复设备的联合决策模型。为了满足设备的生产要求,以及最优化缓冲区生产系统的费用水平,将分别以平均单位时间的总停机时间、平均单位时间的总费用作为目标函数,来进行研究。通过时间延迟理论,分析了故障形成的过程,并表达出故障次数。借用更新报酬定理,来表达两目标函数。由离散迭代算法,求解得到：最优的检查周期和额定库存分别为25 d、1 195件时,总费用率在停机时间率为0.199时最小为22 739.95元。另外,进行了敏感性分析来验证最优解,最后由求解结果来指导生产线维修管理。